通过优化封装，三星的DDR5内存模块高度将低于DDR44层内存。由于管芯之间的间隙更小(减少40%)以及通过实施薄晶圆处理技术，高度的降低成为可能。重要的是，8层TSV模块将提供更好的散热。
在HotChips33大会上，三星确认正在开发具有8层TSV(直通硅通孔)的DDR5内存模块，是DDR4内存容量的两倍。这意味着理论上，512GB内存模块是可能实现的。
通过优化封装，三星的DDR5内存模块高度将低于DDR44层内存。由于管芯之间的间隙更小(减少40%)以及通过实施薄晶圆处理技术，高度的降低成为可能。重要的是，8层TSV模块将提供更好的散热。
三星预计DDR5内存将提供比DDR4提升85%的性能，提供高达7.2Gbps的带宽，以及高达512GB的双倍容量。同时，新模块将具有更低的1.1V电压，提高电源效率。
三星表示，预计到2023/2024年能够向主流市场提供该DDR5内存，数据中心市场的产品将更快推出，计划在今年年底前生产512GB内存模块。
