我国量产全球最高存储密度闪存 速度提升3倍

    长江存储正式宣布，公司已开始量产基于架构的64层256GbTLC3DNAND闪存，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。该闪存是目前全球首款基于架构设计并实现量产的闪存产品，拥有同代产品中最高的存储密度。相比传统3DNAND闪存架构，该产品可带来更快的传输速度、更高的存储密度和更短的产品上市周期。根据公开信息，传输速度可较目前传统产品提升三倍左右。
　　我国存储芯片主要依赖进口。2018年我国芯片进口金额达到3120.58亿美元，其中存储芯片市场规模达到880亿美元，市场比重超过四分之一，规模超过CPU、手机基带等热门芯片。此次长江存储启动64层NAND闪存量产，不但填补了该领域的国内空白，也极大缩短了与国际领先厂商的差距，为国内存储器今后的生产研发自主化打下了坚实的基础。