2、壮大芯片制造业规模，增强先进和特色工艺能力

　　持续支持12英寸先进工艺制造线和8英寸/6英寸特色工艺制造线的技术升级和产能扩充。加快45纳米及以下制造工艺技术的研发与应用，加强标准工艺、特色工艺模块开发和IP核的开发。多渠道吸引投资进入集成电路领域，引导产业资源向有基础、有条件的企业和地区集聚，形成规模效应，推进集成电路芯片制造线建设的科学发展。

　　专栏2：先进工艺/特色工艺生产线建设和能力提升工程

　　先进工艺开发及生产线建设。加快12英寸先进工艺生产线的规模化、集约化建设。坚持国际化原则，采取开放合作的方式，推动45纳米/32纳米/28纳米先进工艺的研发及产业化，为22纳米研发和量产奠定基础，从而大大缩短与国际技术的差距，形成具有国际竞争力和持续发展力的专业代工业。

　　特色工艺开发及生产线建设。支持模拟工艺、数模混合工艺、微电子机械系统（MEMS）工艺、射频工艺、功率器件工艺等特色技术开发，推动特色的工艺生产线建设。加快以应变硅、绝缘衬底上的硅（SOI）、化合物半导体材料为基础的制造工艺开发和产业化。

　　3、提升封测业层次和能力，发展先进封测技术和产品

　　顺应集成电路产品向功能多样化的重要发展方向，大力发展先进封装和测试技术，推进高密度堆叠型三维封装产品的进程，支持封装工艺技术升级和产能扩充。提高测试技术水平和产业规模。

　　4、完善产业链，突破关键专用设备、仪器和材料

　　推进8英寸集成电路设备的产业化进程，支持12英寸集成电路生产设备的研发，加强新设备、新仪器、新材料的开发，形成成套工艺，推动国产装备在生产线上规模应用，培育一批具有较强自主创新能力的骨干企业，推进集成电路产业链各环节（设计、制造、封测、设备仪器、材料等）的紧密协作，建立试验平台，加快产业化。

　　专栏3：集成电路产业链延伸工程

　　先进封装测试。支持BGA、CSP、多芯片组件封装（MCM）、WLP、3D、硅通孔（TSV）等先进封装和测试技术，推进MCP、SiP、封装内封装（PiP）、封装上封装（PoP）等集成电路产品特别是高密度堆叠型三维封装产品的进程。

　　专用设备、仪器、材料。支持刻蚀机、离子注入机、外延炉设备、平坦化设备、自动封装系统等设备的开发与应用，形成成套工艺，加强12英寸硅片、SOI、引线框架、光刻胶等关键材料的研发与产业化，支持国产集成电路关键设备和仪器、原材料在生产线上规模应用。

　　五、政策措施

　　（一）落实政策法规，完善公共服务体系

　　贯彻落实国发[2011]4号文件，加快相关实施细则和配套措施的制订。加强产业调研，适时调整《集成电路免税进口自用生产性原材料、消耗品目录》。进一步完善集成电路发展法律制度，完善集成电路产业公共服务体系，加强公共服务平台建设，促进设计与应用的紧密联系。

　　（二）提升财政资金使用效率，扩大投融资渠道