该产品基于先进的背照式工艺打造，具备GSPRINT系列的高速、低噪声、高动态范围等优异特性，助力3C电子、半导体、SMT等诸多行业的应用升级。产品的工程样片即日起可订购，预计2025 年2月开始量产。
2024年11月19日，长光辰芯发布高速背照式全局快门CMOS图像传感器-GSPRINT5514BSI。该产品基于先进的背照式工艺打造，具备GSPRINT系列的高速、低噪声、高动态范围等优异特性，助力3C电子、半导体、SMT等诸多行业的应用升级。产品的工程样片即日起可订购，预计2025 年2月开始量产。
低噪声、高灵敏度，助力工业应用全面升级
CMOS图像传感器的灵敏度主要由三个因素决定，分别为像素尺寸、读出噪声以及量子效率。在以往的工业全局快门高速产品中，三者往往很难兼容。GSPRINR5514BSI作为一款高速全局快门产品，将上述三个参数进行优化提升，以适应最新的工业检测的需求。GSPRINT5514BSI采用了5.5μm的大像素设计，有效分辨率为4608(H) x 3072(V)，相比较同等光学尺寸的已有GSPRINT系列产品，像元面积提升了50%。同时得益于先进的电荷域全局快门像素设计，使得其读出噪声在全速模式下小于2e-, 其读出噪声水平直接媲美科学级GSENSE系列产品。另外，GSPRINT5514BSI采用了先进的背照式生产工艺，使得其峰值量子效率可达86%，和同等光学尺寸的GSPRINT系列前照式产品相比，量子效率提升23%。以上三点性能的提升，极大提升了芯片的响应灵敏度，以降低在工业场景下的光源强度，减少光污染。
紫外、可见光、近红外，拓展行业新应用
GSPRINT5514BSI不仅在可见光谱段具有较高的峰值量子效率，同时兼顾了芯片在紫外以及近红外的响应。芯片区分带有微透镜和不带微透镜的两个版本，不带微透镜的版本芯片，其在200-300nm之间，平均量子效率达到20%。对于带微透镜的芯片，兼顾了可见光和近红外的应用，在800nm波长下，量子效率达到40%以上。GSPRINT5514BSI宽谱段响应的特性，使其可以适配更多的工业场景以及拓展更多的应用，如工业透明材料检测，运动捕捉等。GSPRINT5514BSI QE曲线高速、高动态，提升检测精度和效率
GSPRINT5514BSI继承了GSPRINT系列高帧频、高动态的特性。该产品支持12bit和10bit ADC输出，其帧频分别为350fps和670fps，最高数据率达到94.84Gbps，完美匹配目前市场上最先进的100GiGE相机接口。同时，为解决某些行业面临的高反射物体成像的问题，GSPRINT5514BSI分别支持双增益HDR（Dual Gain HDR）和多斜率HDR（Multiple-slope HDR）两种模式。在双增益HDR模式下其动态范围最高可达77.5dB。GSPRINT5514BSI的以上特性，也使其成为3D AOI、SPI等结构光工业方案以及高速摄影领域的理想选择。
更高兼容度，用户更友好
GSPRINT5514BSI采用454 pins 陶瓷μPGA封装，封装尺寸为42.00mm x 38.00mm，且管脚与GSPRINT4510、GSPRINT4521兼容，更加方便老用户的开发集成。芯片提供黑白和彩色两个版本。
