此前金泰克正式公布了两款嵌入式产品，用于移动设备的内存芯片，LPDDR3-1866与LPDDR4-3200，两款产品制程均为20纳米。

　　从传统LPDDR产品当中来看，LPDDR3内存芯片支持POP堆叠封装和独立封装以满足不同类型移动设备的需要，如Tablet/Pad、eBook以及SmartPhone等。除延续更早的LPDDR2芯片的能效特性和信号界面以外，还重点加入了Write-LevelingandCATraining(写入均衡与指令地址调训以及OnDieTermination(片内终结器/ODT)技术。

　　在之后金泰克全新20纳米LPDDR4内存，在性能和集成度上都比20纳米级LPDDR3内存提高一倍。更快速的RAM意味着应用的启动速度更快，这对于在执行多任务时启动重量级应用至关重要。

　　由于输入/输出接口数据传输速度最高可达3200Mbps，是通常使用的DDR3DRAM的两倍，新推出的8GbLPDDR4内存可以支持超高清影像的拍摄和播放，并能持续拍摄2000万像素的高清照片。

　　目前，大多数主流手机用的均为LPDDR4内存，当然还有一些CP值高的手机用的还是上一代LPDDR3内存。与LPDDR3内存芯片相比，LPDDR4的运行电压降为1.1伏，堪称适用于大屏幕智能手机和平板电脑、高性能网络系统的低功耗存储解决方案。以2GB内存封装为例，比起基于4Gb/8GbLPDDR3芯片的2GB内存封装，基于8GbLPDDR4芯片的2GB内存封装因运行电压的降低和传输速度的提升，最大可节省40%的耗电量。