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UFS3.1通用闪存发布 为5G时代打造高速闪存芯片
2022/4/19 14:58   长江存储      关键字:闪存 5G 芯片      浏览量:
据长江存储介绍,为了使消费者在赏玩高帧率游戏、观看8K高清视频时获得更为流畅的使用体验,长江存储UFS3.1闪存UC023采用全新升级的晶栈2.0(Xtacking?2.0)技术的TLC3D闪存颗粒,设计和工艺得到了进一步的改良优化。作为旗舰级UFS3.1闪存,UC023还具备如下特点:
  4月19日,长江存储科技有限责任公司(简称“长江存储”)宣布推出UFS3.1通用闪存——UC023。据介绍,这是长江存储为5G时代精心打造的一款高速闪存芯片,可广泛适用于高端旗舰智能手机、平板电脑、AR/VR等智能终端领域,以满足AIoT、机器学习、高速通信、8K视频、高帧率游戏等应用对存储容量和读写性能的严苛需求。UC023的上市标志着长江存储嵌入式产品线已正式覆盖高端市场,将为手机、平板电脑等高端旗舰机型提供更加丰富灵活的存储芯片选择。
  根据JEDEC2020年发布的标准,在加入了写入增强器(Write Booster)、深度睡眠(Deep Sleep)、性能调整通知(Performance Throttling Notification)等技术后,UFS3.1理论带宽可达2.9GB/s*,性能较eMMC5.1及UFS2.2有了大幅提升。UFS3.1作为当下旗舰智能手机、平板的首选存储方案,可大幅缩短应用加载的等待时间,提升工作效率,为消费者带来8K视频、AR/VR等前沿技术的优质体验。
  据长江存储介绍,为了使消费者在赏玩高帧率游戏、观看8K高清视频时获得更为流畅的使用体验,长江存储UFS3.1闪存UC023采用全新升级的晶栈2.0(Xtacking?2.0)技术的TLC3D闪存颗粒,设计和工艺得到了进一步的改良优化。作为旗舰级UFS3.1闪存,UC023还具备如下特点:
  ●解码多项新技术,全面释放UFS3.1优势:搭载主机碎片化整理技术(HID),优化数据处理操作,节省更多存储空间;引入随机写性能优化机制,写入速度提升至230KIOPS,实现多个应用自如切换。
  ●出色的性能功耗比,增强用户移动体验:发挥极致读写性能的同时,仍然保证超低功耗运行。在线观看8K高清视频不卡顿,设备待机时间显著增长。
  ●为客户量身定制,提供多款主流容量:UC023提供定制化产品开发服务与及时、专业、高效的技术支持;128、256和512GB三款存储容量,满足主流市场需求。
  UC023现已通过各平台验证,兼容性强、应用广泛。此次UC023的正式发布,标志着长江存储嵌入式解决方案可以满足更为严苛的测试标准,适配更复杂的使用环境。
  长江存储科技有限责任公司成立于2016年7月,总部位于武汉。长江存储是一家专注于3DNAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业,除嵌入式存储芯片,长江存储还面向全行业客户提供商用级、企业级与消费级固态硬盘产品和完整的系统解决方案,广泛应用于移动通信、消费数码、计算机、服务器及数据中心等场景。根据Trendforce对销售数据的计算,2021年,长江存储在全球的市占率达到3.4%。并以此预计,长江存储的市占率在2022年可能会达到7%。

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