高新技术已经成为了我国重点发展的对象之一。其中芯片研究更是重点的关注领域。目前芯片工艺使用的是英特尔发布的FinFET工艺，未来的4nm以及5nm都会使用这种晶体管技术。在2018年，三星率先突破技术瓶颈，宣布能够完成3nm芯片的工艺，新技术比英特尔的技术功能更强、能耗也得到了很好的降低。但在近日，我国在该领域取得了重大突破，中科院率先发布了2nm工艺的叠层垂直纳米环珊晶体技术，能够完成2nm以及以下的芯片生产。

　　这项技术的出现，意味着国产芯片未来可期，眼下我们无法超越英特尔、高通等美国巨头，但相信随着时间的发展，我们的芯片技术将会取得更大的突破，站在世界之巅。